Introduzione all’elettronica: Breve storia dell’elettronica. Classificazione dei segnali elettronici. Conversione A/D e D/A. Convenzioni sulle notazioni. Generatori dipendenti. Richiami di teoria dei circuiti (Leggi di Kirchhoff. Partitori. Circuiti equivalenti di Thevenin e Norton). Spettro di frequenza di segnali elettronici. Amplificatori. Esempio: Ricevitore FM.
Elettronica dello stato solido: Materiali dell’elettronica allo stato solido. Modello a legame covalente. Concentrazione intrinseca dei portatori. Legge dell’azione di massa. Correnti di deriva e mobilità nei semiconduttori. Saturazione della velocità di deriva. Resistività del silicio intrinseco. Semiconduttori drogati. Concentrazione di elettroni e lacune nei semiconduttori drogati. Corrente di diffusione. Corrente totale in un semiconduttore. Modello a bande di energia.
Diodi a stato solido e circuiti a diodi: Diodo a giunzione. Caratteristica I/V del diodo. Diodo in polarizzazione inversa, nulla e diretta. Coefficiente di temperatura del diodo. Breakdown e diodo Zener. Capacità del diodo in polarizzazione diretta ed inversa. Diodo in commutazione. Modello per ampio segnale. Modello SPICE del diodo. Analisi di circuiti a diodi. Analisi grafica con retta di carico. Analisi con il modello matematico del diodo ideale (resistenza di piccolo segnale). Analisi a caduta di tensione constante. Circuiti a più diodi. Raddrizzatore a semionda con carico R, C ed RC (Filtro capacitivo). Raddrizzatore a doppia semionda ed a ponte. Regolatore di tensione con diodo Zener. Fotodiodi, diodi Schottky, celle solari e diodi emettitori di luce.
Transistori MOS: Il condensatore MOS. Regione di accumulazione. Regione di svuotamento. Regione di inversione. MOSFET a canale n (NMOS). Analisi qualitativa del comportamento I/V del transistore NMOS. Regione di triodo del transistore NMOS. Resistenza di conduzione. Regione di saturazione del transistore NMOS. Modello matematico della regione di saturazione. Transconduttanza in saturazione. Modulazione della lunghezza di canale. Effetto body. MOSFET a canale p (PMOS). Simboli circuitali del MOSFET. Capacità del transistore NMOS nella regione di triodo. Capacità nella regione di saturazione. Capacità nella regione di interdizione. Polarizzazione del MOSFET. Polarizzazione con rete a 4 resistori. Analisi basata sul metodo della retta di carico. Modelli SPICE.
I circuiti digitali: Porte logiche ideali. Definizione dei livelli logici e dei margini di rumore. Livelli logici. Margini di rumore. Criteri di progetto per una porta logica. Risposta dinamica di una porta logica. Tempi di salita e di discesa. Ritardo di propagazione. Prodotto ritardo-potenza. Richiami di algebra booleana. Circuiti logici CMOS. Caratteristiche statiche dell’invertitore CMOS. Caratteristica di trasferimento dell’invertitore CMOS. Porte logiche NOR e NAND CMOS, Porte logiche CMOS complesse. Circuiti di buffer. Ritardo di un circuito disaccoppiatore (buffer). Numero ottimo di stadi. Latch bistabile. Flip-flop SR. Flip-flop JK. Flip-flop T. Flip-Flop race condition. Il latch di tipo D a porte di trasmissione. Flip-flop master-slave. Flip-Flop edge-triggered. Registri e contatori. Memorie ad accesso casuale (RAM). La cella di memoria a sei transistori (6-T). Memorie dinamiche (DRAM). La cella di memoria a un transistore. Memorie a sola lettura (ROM). Memorie non volatili (EEPROM). Memorie flash.
Amplificatori operazionali: Esempio di sistema elettronico analogico. Amplificazione. Guadagni di tensione, di corrente e di potenza. Rappresentazione del guadagno in decibel. L’amplificatore differenziale. Caratteristica di trasferimento di tensione dell’amplificatore differenziale. Guadagno (di tensione) differenziale. Amplificazione dei segnali. Modello dell’amplificatore differenziale. L’amplificatore operazionale ideale. Ipotesi per l’analisi degli amplificatori operazionali ideali. L’amplificatore invertente. L’amplificatore di transresistenza. L’amplificatore non invertente. L’amplificatore a guadagno unitario o inseguitore di tensione (Buffer). Amplificatore sommatore. Amplificatore sottrattore. Integratore. Derivatore. Nonidealità. Guadagno di modo comune. CMRR. Resistenze di ingresso e di uscita. Offset. Prodotto banda-guadagno. Slew rate.
Modelli di piccolo segnale e amplificatori a singolo stadio: Il transistore come amplificatore. Condensatori di accoppiamento e di bypass. Utilizzo dei circuiti equivalenti DC e AC. Modello per piccolo segnale del diodo. Modello per piccolo segnale del transistore MOS. Guadagno di tensione intrinseco del MOSFET. L’amplificatore a source comune (CS) (guadagno di tensione a centro banda, resistenze di ingresso e di uscita). Dissipazione di potenza ed escursione del segnale. Classificazione degli amplificatori. Applicazione e prelievo del segnale (configurazioni CS, CD, CG). Configurazione CS con resistenza di degenerazione. Amplificatori multistadio accoppiati in AC.
Specchi di corrente: Analisi DC dello specchio di corrente MOS. Modifica del rapporto di riflessione per lo specchio di corrente MOS. Specchio di corrente cascode.
Risposta in frequenza: Risposta in frequenza degli amplificatori, guadagno a centro banda, frequenza di taglio inferiore, frequenza di taglio superiore. Stima della frequenza di taglio inferiore con il metodo delle costanti di tempo in cortocircuito. Stima della frequenza di taglio inferiore per le configurazioni di amplificatore CS, CG, CD. Modello in alta frequenza per il MOSFET. Frequenza di transizione fT. Dipendenza di fT dalla lunghezza di canale. Analisi ad alta frequenza dell’amplificatore source comune. L’effetto Miller. Stima della frequenza di taglio superiore con il metodo delle costanti di tempo a circuito aperto. Risposta in frequenza di un amplificatore CS.
Simulazione di circuiti elettronici: LTSPICE

Jaeger-Blalock, Microelettronica Ed. Mc-Graw-Hill V Edizione.
Sedra-Smith, Circuiti per la Microelettronica, Edises.

1. Introduzione all’elettronica: Breve storia dell’elettronica. Classificazione dei segnali elettronici. Conversione A/D e D/A. Convenzioni sulle notazioni. Generatori dipendenti. Richiami di teoria dei circuiti (Leggi di Kirchhoff. Partitori. Circuiti equivalenti di Thevenin e Norton). Spettro di frequenza di segnali elettronici. Amplificatori. Esempio: Ricevitore FM.

2. Elettronica dello stato solido: Materiali dell’elettronica allo stato solido. Modello a legame covalente. Concentrazione intrinseca dei portatori. Legge dell’azione di massa. Correnti di deriva e mobilità nei semiconduttori. Saturazione della velocità di deriva. Resistività del silicio intrinseco. Semiconduttori drogati. Concentrazione di elettroni e lacune nei semiconduttori drogati. Corrente di diffusione. Corrente totale in un semiconduttore. Modello a bande di energia.

3. Diodi a stato solido e circuiti a diodi: Diodo a giunzione. Caratteristica I/V del diodo. Diodo in polarizzazione inversa, nulla e diretta. Coefficiente di temperatura del diodo. Breakdown e diodo Zener. Capacità del diodo in polarizzazione diretta ed inversa. Diodo in commutazione. Modello per ampio segnale. Modello SPICE del diodo. Analisi di circuiti a diodi. Analisi grafica con retta di carico. Analisi con il modello matematico del diodo ideale (resistenza di piccolo segnale). Analisi a caduta di tensione constante. Circuiti a più diodi. Raddrizzatore a semionda con carico R, C ed RC (Filtro capacitivo). Raddrizzatore a doppia semionda ed a ponte. Regolatore di tensione con diodo Zener. Fotodiodi, diodi Schottky, celle solari e diodi emettitori di luce.

4. Transistori MOS: Il condensatore MOS. Regione di accumulazione. Regione di svuotamento. Regione di inversione. MOSFET a canale n (NMOS). Analisi qualitativa del comportamento I/V del transistore NMOS. Regione di triodo del transistore NMOS. Resistenza di conduzione. Regione di saturazione del transistore NMOS. Modello matematico della regione di saturazione. Transconduttanza in saturazione. Modulazione della lunghezza di canale. Effetto body. MOSFET a canale p (PMOS). Simboli circuitali del MOSFET. Capacità del transistore NMOS nella regione di triodo. Capacità nella regione di saturazione. Capacità nella regione di interdizione. Polarizzazione del MOSFET. Polarizzazione con rete a 4 resistori. Analisi basata sul metodo della retta di carico. Modelli SPICE.

5. I circuiti digitali: Porte logiche ideali. Definizione dei livelli logici e dei margini di rumore. Livelli logici. Margini di rumore. Criteri di progetto per una porta logica. Risposta dinamica di una porta logica. Tempi di salita e di discesa. *Ritardo di propagazione. Prodotto ritardo-potenza. Richiami di algebra booleana. Circuiti logici CMOS. Caratteristiche statiche dell’invertitore CMOS. Caratteristica di trasferimento dell’invertitore CMOS. Porte logiche NOR e NAND CMOS, Porte logiche CMOS complesse. Circuiti di buffer. Ritardo di un circuito disaccoppiatore (buffer). Numero ottimo di stadi. Latch bistabile. Flip-flop SR. Flip-flop JK. Flip-flop T. Flip-Flop race condition. Il latch di tipo D a porte di trasmissione. Flip-flop master-slave. Flip-Flop edge-triggered. Registri e contatori. Memorie ad accesso casuale (RAM). La cella di memoria a sei transistori (6-T). Memorie dinamiche (DRAM). La cella di memoria a un transistore. Memorie a sola lettura (ROM). Memorie non volatili (EEPROM). Memorie flash.

6. Amplificatori operazionali: Esempio di sistema elettronico analogico. Amplificazione. Guadagni di tensione, di corrente e di potenza. Rappresentazione del guadagno in decibel. L’amplificatore differenziale. Caratteristica di trasferimento di tensione dell’amplificatore differenziale. Guadagno (di tensione) differenziale. Amplificazione dei segnali. Modello dell’amplificatore differenziale. L’amplificatore operazionale ideale. Ipotesi per l’analisi degli amplificatori operazionali ideali. L’amplificatore invertente. L’amplificatore di transresistenza. L’amplificatore non invertente. L’amplificatore a guadagno unitario o inseguitore di tensione (Buffer). Amplificatore sommatore. Amplificatore sottrattore. Integratore. Derivatore. Nonidealità. Guadagno di modo comune. CMRR. Resistenze di ingresso e di uscita. Offset. Prodotto banda-guadagno. Slew rate.

7. Modelli di piccolo segnale e amplificatori a singolo stadio: Il transistore come amplificatore. Condensatori di accoppiamento e di bypass. Utilizzo dei circuiti equivalenti DC e AC. Modello per piccolo segnale del diodo. Modello per piccolo segnale del transistore MOS. Guadagno di tensione intrinseco del MOSFET. L’amplificatore a source comune (CS) (guadagno di tensione a centro banda, resistenze di ingresso e di uscita). Dissipazione di potenza ed escursione del segnale. Classificazione degli amplificatori. Applicazione e prelievo del segnale (configurazioni CS, CD, CG). Configurazione CS con resistenza di degenerazione. Amplificatori multistadio accoppiati in AC.

8. Specchi di corrente: Analisi DC dello specchio di corrente MOS. Modifica del rapporto di riflessione per lo specchio di corrente MOS. Specchio di corrente cascode.

9. Risposta in frequenza: Risposta in frequenza degli amplificatori, guadagno a centro banda, frequenza di taglio inferiore, frequenza di taglio superiore. Stima della frequenza di taglio inferiore con il metodo delle costanti di tempo in cortocircuito. Stima della frequenza di taglio inferiore per le configurazioni di amplificatore CS, CG, CD. Modello in alta frequenza per il MOSFET. Frequenza di transizione fT. Dipendenza di fT dalla lunghezza di canale. Analisi ad alta frequenza dell’amplificatore source comune. L’effetto Miller. Stima della frequenza di taglio superiore con il metodo delle costanti di tempo a circuito aperto. Risposta in frequenza di un amplificatore CS.

10. Simulazione di circuiti elettronici: LTSPICE.

1. Jaeger-Blalock, Microelettronica Ed. Mc-Graw-Hill V Edizione.

2. Sedra-Smith, Circuiti per la Microelettronica, Edises.